_WELCOMETO Radioland

Главная Схемы Документация Студентам Программы Поиск Top50  
Поиск по сайту



Навигация
Главная
Схемы
Автоэлектроника
Акустика
Аудио
Измерения
Компьютеры
Питание
Прог. устройства
Радио
Радиошпионаж
Телевидение
Телефония
Цифр. электроника
Другие
Добавить
Документация
Микросхемы
Транзисторы
Прочее
Файлы
Утилиты
Радиолюб. расчеты
Программирование
Другое
Студентам
Рефераты
Курсовые
Дипломы
Информация
Поиск по сайту
Самое популярное
Карта сайта
Обратная связь

Студентам


Студентам > Курсовые > Развитие технологии МОП ИС

Развитие технологии МОП ИС

Страница: 1/7

Содержание

Стр.

Введение. 3

1 Развитие МОП ИС. 4

2 Принцип работы и структура МОП - транзистора 6

3 Технология n – канальных МОП СБИС. 8

3.1 Исходный материал. 10

3.2 Изоляция. 11

3.3 Легирование области канала. 12

3.4 Формирование затвора. 13

3.5 Формирование областей истока и стока. 14

3.6 Нанесение и оплавление фосфорно-силикатного стекла (ФСС) 15

3.7 Металлизация. 16

4 Особенности технологии КМОП БИС 17

5 Особенности субмикронных МОП – транзисторов. 21

5.1 Конструкции МОП - транзисторов в СБИС 23

5.2 Методы улучшения характеристик МОП - транзисторов. 26

Список использованных источников. 31

Введение

Схемы на МОП (металл - окисел - полупроводник) - транзисторах составляют в настоящее время значительную часть изделий, выпускаемых электронной про­мышленностью. На их основе строится большинство интеграль­ных схем с сверх большой (СБИС) и большой степенью интеграции. Схемы на МОП - транзисторах занимают доминирующее поло­жение при создании таких функционально законченных изделий, как постоянные и оперативные запоминающие устройства, микроконтроллеры, микропроцессоры, АЦП, ЦАП и т.д.

Благодаря своей высокой надежности и большой функцио­нальной сложности МОП СБИС позволяют строить более дешевую аппаратуру. При равной функциональной сложности они имеют меньшие геометрические размеры, чем схемы на би­полярных транзисторах, а процесс их изготовления, как пра­вило, проще, чем технология схем на биполярных приборах. Значительным достоинством МОП ИС является и то, что их применение в устройствах позволяет повысить надеж­ность и сложность последних, а также предсказывать параметры разрабатываемых на их основе систем [1].

Развитие технологии изготовления МОП ИС позволило повысить скорость работы цифровых микросхем, которые в настоящее время строятся на МОП транзисторах и уменьшить при этом габаритные размеры микросхем.

В работе рассматриваются основные этапы технологии, используемые при изготовлении МОП – транзисторов и тенденция развития технологии.

1 Развитие МОП ИС

Принцип работы полевого транзистора (МОП - транзистора) был известен ещё до появления биполярного транзистора. Однако лишь недавно, благодаря достижению стабильности и контролируемости технологического процесса МОП БИС стали реальностью.

Согласно литературным источникам, первые попытки построить активный полупроводниковый прибор, основанный на эффекте поля, были предприняты Лилиефельдом в начале 30 – х гг. О. Хейл запатентовал свое открытие в Великобритании в 1935 г. Первая действующая модель униполярного полевого транзистора была разработана фирмой Bell Telephone Laboratories, где в 1948 г. Бардиным и Бреттейном был открыт транзисторный эффект. Ученые наблюдали этот эффект в серии экспериментов по модуляции тока, протекающего через точеч­ные контакты с кристаллом германия. Их открытие проложило дорогу к разработке точечных транзисторов и к изобретению биполярных транзисторов, работа которых в большей степени основаны на инжекции неосновных носителей заряда, чем на полевом эффекте. Затем внимание исследователей переключи­лось на эти два типа биполярных транзисторов, и развитие полевых транзисторов фактически приостановилось.

В 1952 г. Шокли описал полевой транзистор с управляю­щим обратно смещенным р - n - переходом. Такие полевые тран­зисторы были впоследствии изготовлены и исследованы Декеем и Россом, которые в 1955 г. аналитически определили предель­ные параметры подобных транзисторов. Однако первые по­пытки изготовить полевой МОП - транзистор оказались безуспеш­ными, поскольку не удавалось получить контролируемую и ста­бильную поверхность.

В 1958 г. появилась первая монолитная ИС с биполярными плоскостными транзисторами.

Важным достижением в полупроводниковой технике явилась разработка в начале 60-х гг. кремниевой планарной технологии. Выращивание, травление и повторное выращивание изоли­рующего слоя окисла на поверхности кремниевой подложки позволили получить значительно более стабильную поверхность, а также контролировать геометрические размеры с большей точностью, чем это было возможно ранее. В результате на­ступил период в развитии МОП - транзисторов, когда стало воз­можным заменить ими электронные лампы и дорогостоящие биполярные транзисторы. Попытки серийного производства МОП - транзисторов натолкнулись на трудности, связанные с миграцией заряда вдоль поверхности, которая приводила к ухудшению их электрических характеристик. С последующим улучшением технологии появились первые надежные дискретные МОП -транзисторы с воспроизводимыми параметрами.

ИС содержащая меньше 100 полевых транзисторов была изготовлена в 1961 г Bell Laboratories более чем через 30 лет после открытия принципа действия полевого транзистора.

Проблемы контроля технологического процесса постоянно беспокоили изготовителей МОП – схем вплоть до 1967 г. В это время процент годных МОП – схем со стабильными параметрами был увеличен как за счёт усовершенствования основного МОП процесса, так и за счёт усиления технологической дисциплины и установления строго контролируемой окружающей среды в чистых помещениях на критических этапах технологического процесса. Впоследствии процент входа годной продукции продолжал непрерывно расти благодаря накоплению производственного опыта и созданию лучших оборудования, инструментов и исходных материалов.

В дополнение к повышению качества материалов и оборудования значительно возрос и объем знаний в области физики поверхности полупроводников, что привело к усовершенствова­нию технологического процесса в некоторых его критических точках. Другим фактором, который помог увеличить выход годной продукции, было развитие схемотехники, позволившее полнее использовать специфические свойства МОП – транзисторов [1].

В 1969 году ИС на МОП транзисторах содержали от 1000 до 10000 транзисторов. 1971 году была придумана технология ионной имплантации, 1975 году благодаря технологии с самосовмещённого затвора, стало возможным производство СБИС (10000 – 100000 транзисторов).

В 1980 году – степень интеграции увеличилась до 100 000 транзисторов и больше на кристалле, и появились УБИС (ультра большие ИС).

Наконец, с 1990 годов производятся ИС с 1000000 и больше транзисторов. Благодаря развитию технологии одна микросхема малых размеров может выполнять множество функций и с большой производительностью.

2 Принцип работы и структура МОП - транзистора

Структура n-канального МОП - транзистора приведена на рис. 2.1. Затвор выполнен на металле, а сток и исток - на n-областях (при замене на p-области получается p-канальный транзистор). Области n(p) называют диффузионными. При подаче напряжений на затвор и сток (исток) под затвором образуется тонкий канал, по которому течет ток, создаваемый движением электронов (дырок) от истока к стоку в nМОП (pМОП) - транзисторе. Толщина канала составляет около 100 ангстрем. Поскольку подвижность электронов почти в 2,5 раза выше, чем подвижность дырок, проводимость открытого n МОП - транзистора в 2,5 раза больше проводимости p МОП - транзистора. МОП - транзисторы имеют следующие усредненные характеристики: входной ток - 5 мкА, входное сопротивление в статическом режиме - 106 Ом, сопротивление исток - сток закрытого транзистора 1012 Ом, сопротивление открытого транзистора - сотни Ом, паразитная емкость исток - сток - 10 пФ. В биполярном транзисторе движение носителей происходит в слое, имеющем значительно большую толщину, чем в канальном транзисторе. Биполярные транзисторы имеют следующие усредненные характеристики: входной ток - 1 мкА, входное сопротивление - сотни Ом, сопротивление открытого транзистора - десятки Ом, сопротивление закрытого транзистора - сотни кОм, паразитная емкость эмиттер - коллектор - 10 пФ.