_WELCOMETO Radioland

Главная Схемы Документация Студентам Программы Поиск Top50  
Поиск по сайту



Навигация
Главная
Схемы
Автоэлектроника
Акустика
Аудио
Измерения
Компьютеры
Питание
Прог. устройства
Радио
Радиошпионаж
Телевидение
Телефония
Цифр. электроника
Другие
Добавить
Документация
Микросхемы
Транзисторы
Прочее
Файлы
Утилиты
Радиолюб. расчеты
Программирование
Другое
Студентам
Рефераты
Курсовые
Дипломы
Информация
Поиск по сайту
Самое популярное
Карта сайта
Обратная связь

Студентам


Студентам > Курсовые > Усилитель вертикального отклонения

Усилитель вертикального отклонения

Страница: 3/13

где Uпл, вых – максимальная амплитуда сигнала с плеча ДК, В;

Uоткл – максимальное выходное напряжение, отклоняющее луч по оси Y, В.

Uоткл = 80 В – выходное напряжение УВО, рассчитанное в п.4.2.1.

Uпл, вых = 40 В.

Максимальное напряжение одного плеча каскодного ДК Uпл, max – напряжение линейного диапазона одного плеча ДК:

,

(9)

где Uпл, max – максимальное напряжение одного плеча ДК, В;

Uпл, вых – максимальная амплитуда сигнала с одного плеча ДК, В.

Uпл, вых = 40 В – значение рассчитано в п.4.4.1;

Uпл, max = 120 В.

4.4.2. Выбор транзисторов VT1, VT2, VT3, VT4.

Транзисторы VT1 и VT2 выбираем из числа ВЧ- транзисторов средней или большой мощности по условию:

Uke max > Uпл, max ,

(10)

где Uke max – максимальное напряжение коллектор-эмиттер транзистора, В;

Uпл, max – максимальное напряжение одного плеча ДК, В;

Выберем транзисторы VT1 и VT2: BF257 фирмы SGS-THOMSON, параметры которого представлены в приложении 2.

Транзисторы VT3 и VT4 выбираем с минимальным значением τß по условию:

fT > 3/tн ОК ,

(11)

где fT – частота единичного усиления транзистора, МГц;

tн – заданное время нарастания ОК, мкс.

tн = 0,023 мкс;

fT > 130 МГц.

Выберем транзисторы VT3 и VT4: 2SC3597 фирмы SANYO, параметры которых представлены в приложении 3. Максимально-допустимые коллекторные токи транзисторов VT1, VT2, VT3 и VT4 должны быть примерно равны.

4.4.3. Задание изменения коллекторного тока в нагрузке и выбор коллекторной нагрузки.

Коллекторные сопротивления R2 и R3 выбираем из условия:

Rk > Uпл max / Iвых max ,

(12)

где Rk – сопротивление в цепи коллектора, кОм;

Uпл max – максимальное напряжение одного плеча ДК, В;

Iвых max – максимальный выходной ток, определяемый максимальным коллекторным током транзисторов, мА.

Uпл max = 120 В – значение рассчитано в п. 4.4.1;

Iвых max = 65 мА – берем из технической документации на транзисторы в приложениях 2 и 3 с 35%-м запасом.

Rk > 1,84 кОм.

Выберем значение 1,87 кОм из ряда номинальных значений E96.

R2 = R3 = 1,87 кОм.

4.4.4. Задание рабочих точек транзисторов.

Рассчитаем ток коллектора Iк2р транзисторов VT1 и VT2 в рабочей точке из условия:

,

(13)

где Iкр – ток коллектора в рабочей точки транзисторов VT1 и VT2, мА;

Iвых max – максимальный ток коллектора транзисторов VT1 и VT2, мА;

ΔIкдоп – допустимое изменение тока рабочей точки от дестабилизирующих факторов, в т.ч. от температуры, мА.

Iвых max = 65 мА;

ΔIкдоп = 0,0001 мА – берем из технической документации на транзистор BF257, представленной в прил.2;

Iк2р > 32 мА.

Выберем Iк2р = 30 мА.

Рассчитаем напряжение коллектор-эмиттер Uke2р транзисторов VT3 и VT4 в рабочей точке из условия:

,

(14)

Uke max = Uпл max = 120 В – рассчитано в п.4.4.1;

Uke2р < 60 В.

Выберем Uke = 42 В.

Вычислим ток коллектора Iк1р транзисторов VT3 и VT4 в рабочей точке из условия:

Iк1р = Iк2р/α2 = Iк2р (1+ß2)/ß2 ,

(15)

где ß2 – коэффициент передачи тока базы транзисторов VT1 и VT2.

Iк2р = 32 мА;

ß2 = 25 – берем из технической документации на транзистор BF257, представленной в прил.2;

Iк1р = 31,2 мА.

Зададим постоянное напряжение Eb1 на базе транзисторов VT3 и VT4 исходя из предполагаемой схемы предшествующего каскада:

Eb1 = 0 В.

Выберем постоянное напряжение Eb2 на базе транзисторов VT1 и VT2, обеспечивающее паспортный режим транзисторов VT3 и VT4:

Eb2 = 5 В.

Рассчитаем напряжение коллектор-эмиттер Uke1 транзисторов VT3 и VT4 по формуле:

Uke1 = Eb2 - Eb1

(16)

Uke1 = 5 В.

4.4.5. Расчет напряжения между шиной питания и эмиттером транзисторов VT3, VT4.

Рассчитаем напряжение E*k по формуле:

,

(17)

где E*k – напряжение между шиной питания и эмиттером транзисторов, В;

Uke1р = 5 В – рассчитано в п.4.4.4;

Uke2р = 42 В – рассчитано в п.4.4.4;

Rk = 1,87 кОм – рассчитано в п. 4.4.3;

Ik2р = 30 мА – рассчитано в п. 4.4.4;

E*k = 101 В.

4.4.6. Расчет параметров транзисторов.

Рассчитаем параметры rb re, Si, S, h11e, h22e, Ck, tb,tT транзисторов VT1, VT2 (BF257).

Входное сопротивление рассчитывается по формуле:

,

(18)

где rb - объемное сопротивление базы, Ом;

rbe- сопротивление внутренняя база - эмиттер, Ом;

re - дифференциальное сопротивление эмиттерного перехода, Ом.

h11e = 227,8 Ом.

Сопротивление базы:

rb = 10 Ом – берем из справочных данных на транзистор (см. прил.2.).