Расчет распределения примесей в кремнии

 Полученные результаты используются для построения графика N = f(x) - примесного профиля.

Заключение.

В данном курсовом проекте  были рассмотрены процесс очистки полупроводникового вещества - зонная плавка  и способ введения примеси в полупроводник - диффузия примеси.

Для процесса зонной плавки произведен расчет для трех очищаемых примесей: фосфор, галлий, сурьма. Результаты расчета представлены в виде таблиц и графиков: распределение удельного сопротивления и распределения каждой примеси  вдоль  слитка кремния  после очистки зонной плавкой (один проход расплавленной зоной).

Эффективность очистки зависит от скорости кристаллизации: чем меньше скорость кристаллизации в донной примеси, тем лучше она очищается, таким образом при Vкр®0 kэфф®k0; Vкр®¥ kэфф®1. Но это не означает, что если мы уменьшим скорость кристаллизации до нуля, то получим исходное вещество  в чистом виде - это лишь одно из условий очистки вещества. Определяющим является также равновесный коэффициент сегрегации (К0) , который отражает эффективность перераспределения между жидкой и твердой  фазой, он должен отличаться от еденицы  в большую или меньшую сторону. В нашем случае  k0 Sb<k0 Ga<k0 P<1, соответственно сурьма лучше   подвергается очистки по сравнению с галлием, а галлий лучше по сравнению с фосфором. Это все подтверждается результатами расчета - распределением концентраций каждой примеси вдоль слитка кремния после очистки зонной плавкой.

Анализ второй части расчета - метод введения и перераспределения примеси - диффузии показывает, что при условии бесконечного источника примеси на поверхности пластины и одинаковом времени диффузии профиль распределения примеси в полупроводнике будет различен при нескольких температурах. Таким образом изменяя температурный режим можно изменить профиль распределения примеси в  глубину полупроводника.   

Литература.

1.     Готра З.Ю. Технология микроэлектронных устройств. Справочник. - М.: Радио и связь, 1991. -528 с.

2.     Шишлянников Б.М. Физико-химические основы технологии микроэлектроники.  Методические указания к курсовому проектированию для студентов направления 550700. Новгород, 1998. - 41с.

3.     Нашельский А.Я. Технология полупроводниковых материалов. - М.: Металлургия, 1972. - 432 с.

4.     Реньян В.Р. Технология полупроводникового кремния / Пер. с англ. - М.: Металлургия, 1969. - 336 с.

5.     МОП СБИС. Моделирование элементов и технологических  процессов /Под ред. П. Антонетти и др.; Пер. с англ. - М.:  Радио и связь. 1988. - 496 с.

1	2	3	4	5	6

Copyright © Radioland. Все права защищены.
Дата публикации: 2004-09-01 (0 Прочтено)