Студентам > Рефераты > Микросхемо-техника. Схема контроля дешифратора на три входа
Микросхемо-техника. Схема контроля дешифратора на три входаСтраница: 5/6
^
- степень;
C1 - электролитический конденсатор;
С2-С8 - керамические конденсаторы.
В табл. 8
приведены значения F и P(t) для 100,1000,10000.
Таблица 8.
|
Группа элементов
|
F, ч
|
P(t),
100
|
P(t),
1000
|
P(t),
10000
|
|
ИМС
|
160000
|
0,9999
|
0,9994
|
0,994
|
|
С1
|
2000000
|
0,9999
|
0,9995
|
0,995
|
|
С2 - С8
|
2850000
|
0,9999
|
0,9996
|
0,996
|
|
пайка
|
1900000
|
0,9999
|
0,9994
|
0,994
|
|
основание ПП
|
1000000
|
0,9999
|
0,999
|
0,99
|
|
разъем
|
1950000
|
0,9999
|
0,9994
|
0,994
|
Окончательный расчет надежности ведется на этапе
технического проектирования. Формулы для расчете те же, но при расчете
интенсивности отказов следует учитывать электрический режим работы ЭРЭ и
условия эксплуатации (температура, влажность, вибрация и т.д.).
В
рамках курсового проекта для учета влияния режима работы рассчитывается
коэффициент нагрузки Kн,
а температурный коэффициент берется равным 1:
li=liо*Kн*Kt=liо*Kн
Kн=Нраб./Нном.
где
Нраб. - нагрузка на элемент в рабочем режиме;
Нном.
- нагрузка в номинальном режиме.
Коэффициент Kн для ИМС определяется по
нагрузочной способности:
Кн
имс = Кразв.раб./Кразв.ном;
для конденсаторов - через напряжение:
Kн с = Uраб./Uном.
Таблица 9.
|
элемент
|
lio, 1/ч
|
Kн
|
liо*Kн
|
|
ИМС
|
8,5*10^-7
|
0,05
|
0,43*10^-7
|
|
C1
|
0,50*10^-6
|
0,2
|
0,1*10^-6
|
|
C2 - C8
|
0,05*10^-6
|
0,2
|
0,01*10^-6
|
Таблица 10.
|
Группа элементов
|
liо*n
|
F, ч
|
P(t),
100
|
P(t),
1000
|
P(t),
10000
|
|
ИМС
|
3,01*10^-7
|
3300000
|
0,9999
|
0,9997
|
0,997
|
|
С1
|
0,1*10^-6
|
10000000
|
0,9999
|
0,999
|
0,99
|
|
С1 - С8
|
0,07*10^-6
|
100000000
|
0,99999
|
0,9999
|
0,9993
|
|
пайка
|
0,52*10^-6
|
1900000
|
0,9999
|
0,9994
|
0,994
|
|
основание ПП
|
1*10^-6
|
1000000
|
0,9999
|
0,999
|
0,99
|
|
разъем
|
|
1950000
|
0,9999
|
0,9994
|
0,994
|
|
|
Главная
Документация
Файлы
Информация
