_WELCOMETO Radioland

Главная Схемы Документация Студентам Программы Поиск Top50  
Поиск по сайту



Навигация
Главная
Схемы
Автоэлектроника
Акустика
Аудио
Измерения
Компьютеры
Питание
Прог. устройства
Радио
Радиошпионаж
Телевидение
Телефония
Цифр. электроника
Другие
Добавить
Документация
Микросхемы
Транзисторы
Прочее
Файлы
Утилиты
Радиолюб. расчеты
Программирование
Другое
Студентам
Рефераты
Курсовые
Дипломы
Информация
Поиск по сайту
Самое популярное
Карта сайта
Обратная связь

Студентам


Студентам > Курсовые > Конструирование микросхем и микропроцессоров

Конструирование микросхем и микропроцессоров

Страница: 4/6

 

           

                На этом расчет резисторов первой группы завершен. Все резисторы получились прямыми и неподстраиваемыми. Благодаря этому размеры резисторов минимальны, что позволит располагать их на подложке компактно и с наибольшей степенью интеграции.

 

Расчет резисторов второй группы.

 

1. Определяем диапазон , в котором можно вести расчет:

            0,02 Rmax <  < Rmin     Þ    900 <  < 10000

            Видим, что неравенство выполняется, следовательно эти резисторы выполняются из одного материала. Для того чтобы резисторы были как можно меньше выберем материал с как можно большим удельным поверхностным сопротивлением (). Остановим свой выбор на материале “КЕРМЕТ”. Этот материал обладает следующими характеристиками:

 

Таблица 8.  Материал для второй группы резисторов

 

Наименование

, Ом/€

a R , 1/°C

P0 , мВт/мм2

S, %/103 час

2

Кермет К-50С

ЕТО,021,013,ТУ

5000

0,0004

10

0,5

 

                Этот материал обладает хорошими характеристиками, свойственными резистивным материалам, а именно: низким ТКС (aR), низким коэффициентом нестабильности (старения) (S), хорошей адгезией и технологичностью.

 

2. Вычислим относительную температурную погрешность:

            =0,0004(150-20)=0,052

 

3. Вычислим относительную погрешность старения:

            , где

            tисп  - время испытания за которое определен коэффициент старения S;

            tисп  = 1000 часов.

 

 

4. Вычислим относительную погрешность контактирования:

            = 0,01 - 0,03  Þ  зададимся =0,01

 

5. Вычислим относительную погрешность формы:

            gкф  =  gR - -  -  = 0,22 - 0,1 - 0,052 - 0,025 -0,01=0,033;

 

6. Определение вида резистора (подстраиваемый или неподстраиваемый):

            gкф  > Db/ bmax , где bmax = 2 мм     Þ     gкф  >  0,01  Þ   резистор неподстраиваемый.

                Предпочтение отдается неподстраиваемому резистору.

 

7. Вычислим коэффициент формы рассчитываемого резистора:

                 = 14000/5000 = 2,8;

 

8. Определение вида резистора (прямой или меандр):

            Если коэффициент формы меньше 10, то резистор прямой, а если больше десяти, то резистор изготовляется в форме меандра. Предпочтение отдается прямому резистору. В данном случае резистор изготовляется прямым.

 

9. Определение ширины резистора по мощности рассеяния:

           

 

10. Определение основного размера по заданной точности:

            , где Dl=Db=0,02 при условии, что коэффициент формы больше единицы.

 

11. Выбор основного размера:

                   Þ        b = 0,82 мм

 

12. Определение длины резистора:

           

 

13. Проверка проведенных расчетов:

            Ом     Þ      расчет выполнен правильно !

 

            На этом этапе мы рассчитали первый резистор из второй группы (R2). Расчет остальных резисторов этой группы аналогичен и далее не приводится. Результаты расчета всех резисторов данной группы сведены в таблицу.

 

Таблица 9.  Результаты расчет резисторов второй группы

 

Резистор

Кф

bmin g , мм

bmin p , мм

b, мм

l, мм

Вид резистора

R2

2,8

0,82

0,0011

0,82

2,30

Прямой, неподстр.

R3

9

0,67

0,052

0,67

6,03

Прямой, неподстр.

R4

7

0,70

0,053

0,70

4,90

Прямой, неподстр.

R5

2,5

0,85

0,0185

0,85

1,03

Прямой, неподстр.

R8

2,5

0,85

0,36

0,85

2,13

Прямой, неподстр.

R11

2

0,91

0,47

0,91

1,82

Прямой, неподстр.

R15

2

0,91

0,00014

0,91

1,82

Прямой, неподстр.