Исследование взаимосвязи электрофизических параметров кремния

2.Л.П.Павлов. Методы определения основных параметров полупроводниковых материалов.Москва. «Высшая школа”. 1975.

3.Под редакцией К.В.Шалимов. Практикум по полупроводникам и полупроводниковым приборам. Москва.”Высшая школа”. 1968.

4.А.С.Стильбанс.Физика полупроводников. Москва.”Советское радио”. 1967.

   5. Под редакцией И.К.Кикоина.Справочник.Таблица физических величин. Москва.”Атомиздат”.1976.С.467-505.

  6. Постников В.С., Колокольников Б.М., Капустин Ю.А., Установка для измерения времени жизни неравновесных носителей заряда в полупроводниках-ПТЭ 1988 N2.

  7. Бонч-Бруевич В.Л., Калашников С.Г., Физика полупроводников. М. "Наука" 1990 С. 246-258. 

[1] См. приложение 1

 Результаты визуально полуколичественного атомно-эмиссионого анализа образцов Si

 Результаты масс-спектрометрического анализа P и B 10-4 %

[2] См. приложение 2 Принципиальная схема устройства.

 [В.В.U1]

1	2	3

Copyright © Radioland. Все права защищены.
Дата публикации: 2004-09-01 (186 Прочтено)