Полупроводниковые приборы (тиристоры,транзисторы, диоды)

Изменение напряжения между эмиттером и базой приводит к инжекции дырок в среднюю n-область. Диффун­дируя через среднюю n-область и попадая через запер­тый переход в среднюю р-область, дырки повышают концентрацию основных носи­телей в этой области.

Повышение концентрации основных носителей в средней р-области приводит к пони­жению высоты правого р-п перехода и инжекции элек­тронов из правой n-области в среднюю р-область. Элек­троны проходят среднюю р-об­ласть и уходят через потен­циальный барьер в среднюю n-область. Часть из них рекомбинирует в р-области.

Условие равновесия и электрической нейтральности требует чтобы число дырок, вошедших в р-область, было равно числу электронов рекомбинировавших при движении через p-область.

Отсюда ясно, что поскольку рекомбинирует в объеме 1 - a’’0 от всех вошедших в этот объем электронов то появление в средней р-области некоторого количества дырок

вызывает инжекцию в эту область в 1/(1 - a’’0 )раз большего количества электронов. Так как число дырок, достигших средней р-области, a’0 в раз меньше числа дырок, инжектированных эмиттером (левой p-областью), а число электро­нов, вызванных этими дырками из правой n-области, в 1/(1 - a’’0 )раз больше, чем число дырок, достигших р-области, то результирующий коэффициент передачи тока ока­зывается равным:

a0 = a’0 /(1 - a’’0)

Рис. 2. Диаграммы положения границ зон и прохождения носителей заряда в структуре р-п-р-п:

а—схематическое изображение структуры р-п-р-п, б - положение границ зон при отсутствии внешних напряжений, в—положение границ зон при подаче, на коллектор отрицательного, а на эмиттер положительного смещения относительно базы

положение границ зон до подачи смещения,

изменение положения границ зон правого перехода при попадании инжектированных эмиттером дырок в среднюю р-область.

Коэффициент усиления по току, превышающий единицу, при соответствующем направлении входного и выходного тока обеспечивает работу прибора в ключевом режиме.

Биполярный транзистор при включении его по схеме с общей базой имеет необходимые направления токов, но его коэффициент усиления по току a0< 1. При включении по схеме с общим эмиттером коэффициент усиления по току превышает единицу (B0 > 1), но не соблюдаются необхо­димые направления токов. В четырехслойной тиристорной структуре выполняются оба эти условия.

Список используемой литературы

1.Батуше В.А. Электронные приборы М. : Высшая школа, 1980.

2 Пасынков В.В.,Чиркин Л.К.,Шинков А.Д. Полупроводниковые приборы М.:Высшая школа, 1980.

3 Полупроводниковые приборы: диоды,тиристоры,оптоэлектронные приборы/ Справочник Под ред. Н.Н. Горюнова. М.,/Энергоатомиздат, 1982

4 Электронные приборы./Под ред. Г.Г.Шишкина М.,/ Энергоатомиздат 1989

1	2	3

Copyright © Radioland. Все права защищены.
Дата публикации: 2008-04-09 (0 Прочтено)