_WELCOMETO Radioland

Главная Схемы Документация Студентам Программы Поиск Top50  
Поиск по сайту



Навигация
Главная
Схемы
Автоэлектроника
Акустика
Аудио
Измерения
Компьютеры
Питание
Прог. устройства
Радио
Радиошпионаж
Телевидение
Телефония
Цифр. электроника
Другие
Добавить
Документация
Микросхемы
Транзисторы
Прочее
Файлы
Утилиты
Радиолюб. расчеты
Программирование
Другое
Студентам
Рефераты
Курсовые
Дипломы
Информация
Поиск по сайту
Самое популярное
Карта сайта
Обратная связь

Студентам


Студентам > Рефераты > Выходные устройства управления выпрямительно-инверторными преобразователями

Выходные устройства управления выпрямительно-инверторными преобразователями

Страница: 1/3

Конструкция ,принцип действия и схемы включения

полевых транзисторов.

В последнее время все большее распространение получают поле­вые (униполярные) транзисторы благодаря некоторым преимуществам по сравнению с биполярными. Полевые транзисторы имеют большие входные и выходные сопротивления и меньшую крутизну проходной характеристики. Полевым называют такой транзистор, в котором ток канала управляется полем, возникающим при приложении напряжения между затвором и истоком.

Различают два типа полевых транзисторов: с управляющим р—п-переходом и с изолированным затвором. В свою очередь транзисторы с изолированным затвором делятся на МДП-трапзисторы, у которых затвор отделен от канала диэлектриком (металл—диэлектрик—полу­проводник), и МОП -транзисторы, у которых затвор отделен от канала тонким слоем окиси кремния. МДП-транзисторы подразделяются на транзисторы со встроенным и индуцированным каналами. В зависимо­сти от знака носителей зарядов каналы могут быть р- или n-типа. Элек­трод, через который в канал инжектируются носители заряда, называют истоком, а электрод, служащий для носителей заряда из канала,— стоком. Электрод, через который сообщается управляющий потенциал, называется затвором. МДП-транзисторы имеют четыре вывода; чет­вертый вывод—подложка.

Полевые транзисторы с управ­ляемым р-n-переходом состоят из кремниевой пластины, по концам которой имеются выво­ды, а в пластине методом диффузии образован канал — тончайший слой с дырочной проводимостью. По краям канала методом диффузии образованы более массивные участ­ки с дырочной проводимостью. Таким образом, на поверхности ка­нала с противоположных сторон формируются р-n-переходы, рас­положенные параллельно направ­лению тока. Каналом принято называть область в полупроводнике, в которой ток носителей заряда регулируется изменением ее площади поперечного сечения.

При подключении к истоку положительного, а к стоку отрицатель­ного напряжений в канале возникает электрический ток, создаваемый движением «дырок» от истока к стоку. Движение носителей заряда вдоль электронно-дырочного перехода (а не через переходы, как в биполяр­ных транзисторах) является характерной особенностью полевого тран­зистора. С увеличением потенциала растет разность потенциалов между каналом и затвором, что вызывает увеличение толщины запорных сло­ев р- n-переходов и сужение сечения канала. При достижении напря­жения насыщения Ucuнас наступает перекрытие канала и рост тока IC прекращается .

При работе транзистора в режиме насыщения принцип переноса носителей зарядов в области смыкания запорных слоев подобен инжекции носителей из базы в запорный слой обратносмещенного коллектор­ного перехода у биполярных транзисторов. Поэтому при дальнейшем повышении Ucu до Ucuнас рост тока прекращается, что соответствует горизонтальному участку кривых на графике вольт-амперных харак­теристик транзистора. Вертикальные участки выходных вольт-ампер­ных характеристик соответствуют пробою. В полевых транзисторах с изолированным затвором (см. рис. 1, б, в) последний отделен от ка­нала тонким изолирующим слоем окиси кремния или другого диэлектри­ка. Подложкой прибора служит кремний толщиной около 0,2 мм.

В зависимости от полярности напряжения, прикладываемого меж­ду затвором и истоком Uзu , транзистор может работать в режиме обеднения или обогащения канала основными носителями заряда. Отсюда каналы транзисторов с МОП-структурой по физиче­ским свойствам разделяются на встроенные (обедненный тип) и инду­цированные (обогащенный тип). При подаче на затвор положительного потенциала относительно истока (при канале р-типа) проводимость канала ухудшается, а при отрицательном потенциале на затворе улуч­шается. Поэтому, изменяя полярность и значение напряжения UЗU , можно изменять проводимость канала, а следовательно, U ток стока Iс при Uси= const. При некотором положительном напряжении Uзu транзистора с р-каналом или отрицательном Uзи для транзистора с n-кана­лом ток в цепи стока прекращается. Если на затворе нет напряжения, то ток между стоком и истоком очень мал, и, наоборот, если подать на затвор транзистора с р-каналом отрицательное напряжение или положительное для транзистора с n-каналом по отношению к истоку, то ток между стоком и истоком будет расти.

Полевые транзисторы, как и биполярные, имеют следующие схе­мы включения: схема с общим истоком и входом на затвор; схема с общим стоком и входом на затвор; схема с общим затвором и входом на исток. Основными достоинствами полевых транзисторов является большое входное сопротивление, почти полное разделение входного и выходного сигналов, малый уровень шумов, и образование рабочего тока только основными носителями зарядов.

Маркировка полевых транзисторов аналогична тем обозначениям, которые применяются для биполярных транзисторов. Например, поле­вой транзистор КПЗОЗА расшифровывается так: К — кремниевый, П — полевой общего назначения, 3—малой мощности, 03—номер разработки, А — группа.

Полевые транзисторы используют в тех случаях, где раньше при­менялись электронные лампы, например в усилителях постоянного тока, с высокоомным входом, в RС-генераторах синусоидальных коле­баний и пилообразных напряжений, в усилителях низкой частоты и в других устройствах. При использовании полевых транзисторов в электрических схемах необходимо учитывать рекомендации, которые имеются в справочной литературе и техническом паспорте. Хранить транзисторы с изолированным затвором следует с закороченными вы­водами, производить пайку с заземлением паяльника, места пайки и рук монтажника.

АНАЛОГОВЫЕ ИНТЕГРАЛЬНЫЕ СХЕМЫ.

НАЗНАЧЕНИЕ , ЭЛЕКТРИЧЕСКИЕ СХЕМЫ.

Общие сведения.В зависимости от функционального назначения интегральные схемы делятся на две основные группы: аналоговые и цифровые. Аналоговые ИС применяются в тех случаях, когда требует­ся преобразование или обработка сигналов, изменяющихся по закону непрерывной функции. В любой аналоговой (линейной) схеме содер­жится большое число разнообразных неповторяющихся функциональ­ных элементов, поэтому для их изготовления применяется гибридная технология. Современные линейные ИС содержат до 300 элементов в од­ном кристалле, в том числе маломощные п—р—п- и р—п—струк­туры, мощные п—р—п-транзисторы, МДП структуры, конденсаторы и резисторы больших номиналов, стабилитроны и другие элементы.

В настоящее время линейные интегральные схемы выпускаются самого разнообразного функционального назначения: дифференциаль­ные усилители, усилители низких частот, узкополосные и широко­полосные усилители, усилители промежуточных частот, видеоусили­тели, стабилизаторы, усилители мощности, операционные усилители и т. д. Аналоговые ИС выпускаются в виде серий, выполняющих раз­личные функции, но имеющие единое конструктивно-технологическое исполнение и предназначенные для совместной работы.