Расчёт параметров и характеристик полупроводникового диода и транзистора МДП – типа

В ходе расчетов параметров и характеристик МДП-транзистора были получены значения основных параметров: пороговое напряжение , напряжение смыкания , сопротивление стока и истока rи=rс=42,07 Ом. В результате построений характеристик МДП-транзистора были получены типичные вольтамперные характеристики транзистора МДП-типа с индуцированным каналом n-типа.

Из полученных результатов можно сделать вывод, что полупроводниковый выпрямительный диод можно использовать в качестве вентиля, так как обратный ток через диод при расчете оказался равным .

Список ссылок

1. Исаков Ю.А., Руденко В.С. Промышленная электроника на базе полупроводниковой техники — М.: Высшая школа, 1975г. — 328с.

2. Тугов Н.М., Глебов Б.А. Полупроводниковые приборы — М.:Энергоатомиздат,1990г.— 576с.

3. Батушев В.А. Электронные приборы – М.: Высшая школа,1980г.— 383с.

4. Гусев В.Г., Гусев Ю.М. Электроника – М.: Высшая школа,1991г.— 617с.

5. Пасынков В.В., Чиркин Л.К. Полупроводниковые приборы – М.: Высшая школа,1987г.— 479с.

6. Методические указания к курсовому проектированию по курсу “ТВЕРДОТЕЛЬНАЯ ЭЛЕКТРОНИКА” / Сост.: А.В. Переверзев,

О.Н. Переверзева — Запорожье: ЗГИА, 2000. – 36 с.

1	2	3	4	5	6

Copyright © Radioland. Все права защищены.
Дата публикации: 2008-04-07 (0 Прочтено)