_WELCOMETO Radioland

Главная Схемы Документация Студентам Программы Поиск Top50  
Поиск по сайту



Навигация
Главная
Схемы
Автоэлектроника
Акустика
Аудио
Измерения
Компьютеры
Питание
Прог. устройства
Радио
Радиошпионаж
Телевидение
Телефония
Цифр. электроника
Другие
Добавить
Документация
Микросхемы
Транзисторы
Прочее
Файлы
Утилиты
Радиолюб. расчеты
Программирование
Другое
Студентам
Рефераты
Курсовые
Дипломы
Информация
Поиск по сайту
Самое популярное
Карта сайта
Обратная связь

Студентам


Студентам > Рефераты > Элементная база радиоэлектронной аппаратуры-2

Элементная база радиоэлектронной аппаратуры-2

Страница: 1/10

Аннотация.

 

 

                Целью работы является активизация самостоятельной учебной работы, развитие умений выполнять информационный поиск, пользоваться справочной литературой, определять параметры и характеристики, эквивалентные схемы полупроводниковых приборов.

 

Исходные данные:

 

 

 

 

Тип транзистора   …………………………………………………………………      ГТ310Б

Величина напряжения питания Еп ……………………………………………...          5   В

Сопротивление коллекторной нагрузки Rк ……………………………………       1,6   кОм

Сопротивление нагрузки Rн …………………………………………………….      1,8    кОм

 

 

Схема включения транзистора с общим эмиттером, с фиксированным током базы, с резистивно- ёмкостной связью с нагрузкой.

   

Биполярный транзистор ГТ310Б.

 

 

 

Краткая словесная характеристика:

 

 

                Транзисторы германиевые диффузионно- сплавные p-n-p усилительные с нормированным коэффициентом шума высокочастотные маломощные.

                Предназначены для работы в усилителях высокой частоты. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами. Обозначение типа приводится на этикетке.

                Масса транзистора не более 0,1 г..

 

 

 

Электрические параметры.

 

 

Коэффициент шума при ƒ = 1,6 МГц, Uкб= 5 В, IЭ= 1 мА не более …………….         3 дБ

Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала

                при Uкб= 5 В, IЭ= 1 мА, ƒ = 50 – 1000 Гц ………………………………..     60 – 180

Модуль коэффициента передачи тока H21э

при Uкб= 5 В, IЭ= 5 мА, ƒ = 20 МГц не менее …………………………...          8

Постоянная времени цепи обратной связи

                при Uкб= 5 В, IЭ= 5 мА, ƒ = 5 МГц не более ………………………….…     300 пс

Входное  сопротивление в схеме с общей базой

                при Uкб= 5 В, IЭ= 1 мА ……………………………………………………       38 Ом

Выходная проводимость в схеме с общей базой

                при Uкб= 5 В, IЭ= 1 мА, ƒ = 50 – 1000 Гц не более ……………………..       3 мкСм

Ёмкость коллектора при Uкб= 5 В, ƒ = 5 МГц не более …………………………          4 пФ

 

 

 

Предельные эксплуатационные данные.

 

 

Постоянное напряжение коллектор- эмиттер:

при Rбэ= 10 кОм ……………….…………………………………………         10 В

при Rбэ= 200 кОм ……………….………………………………………..           6 В

Постоянное напряжение коллектор- база ………………………………………...         12 В

Постоянный ток коллектора ………………………………………………………         10 мА

Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т = 233 – 308 К ………...         20 мВт

Тепловое сопротивление переход- среда ………………………………………...        2 К/мВт

Температура перехода …………………………………………………………….        348 К

Температура окружающей среды ………………………………………………...     От 233 до

      328 К

               

Примечание. Максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора, мВт, при Т = 308 – 328  К определяется по формуле:

 

PК.макс= ( 348 – Т )/ 2

 

Входные характеристики.

 

                Для температуры Т = 293 К :

 

 

Iб, мкА

 

 

 

 

 

 

 

 

Line Callout 3: Uкэ= 0 В

200

 

 

 

 

 

 

 

 

160

 

 

 

 

 

 

 

 

Line Callout 3: Uкэ= 5 В

120

 

 

 

 

 

 

 

 

80

 

 

 

 

 

 

 

 

40

 

 

 

 

 

 

 

 

0

0,05

0,1

0,15

0,2

0,25

0,3

0,35

Uбэ,В