Студентам > Рефераты > Электроника
ЭлектроникаСтраница: 3/5
 Малосигнальная
эквивалентная схема замещения транзистора
1)ОЭ
rк≈100
Ом rэ=dUбэ/dIб | Uк- const
rэ=2jt/Iэ0 =(Si)≈50мВ/ Iэ0
r*к=dUкэ/dIк | Iб- const ≈100кОм
 Ск*=Ск(1+b)
≈ 5-15мкФ
2)ОБ
rэ=dUбэ/dIэ | Uк- const
r*к=dUкб/dIк | Iэ- const
Частотные свойства транзистора
Зависят от емкостей транзистора, межэлектородных
емкостей, и от коэффициентов a и b
 fср=fсрa/b – для b
 h –параметры транзистора
 ΔU1=h11ΔI1+h12 ΔU2
ΔI2=h21ΔI1+h22 ΔU2
h11= ΔU1/ ΔI1 │ΔU2=0
– входной сигнал
h12= ΔU1/ ΔU2 │=μ=0
– коэф. обр. отриц. внутр.связи
│ΔI1=0
h21= ΔI2/ ΔI1 │
ΔU2=0 – коэф усиления I
h22= ΔI2/ ΔU2 │=1/rк
выходная проводимость
│ΔI1=0
Связь h-параметров с собственными
параметрами транзистора
|
|
ОБ
|
ОЭ
|
|
h11
|
rэ+rб(1-α)
|
rб+rэ(1+β)
|
|
h12
|
0
|
0
|
|
h21
|
α
|
β
|
|
h22
|
1/rк
|
1/rк*=(1+
β)/rк
|
Полевые транзисторы (ПТ)
В ПТ используется носитель заряда одного типа. Работа ПТ
основана на управлении R канала ПТ поперечным
электрическим полем.
ПТ с: p-n переходом
МДМ или МОП
«+»- очень простые, высокая технологичность, большое Rвх., малая стоимость.
«-»-малая крутизна
ПТ с p-n переходом
 Структура
и работа.
 ВАХ: выходная
rc=ΔUcч/ΔIc
Uзи=const(отсечки)
≈10-100кОм
Стокозатворная характеристика
крутизна:
S=(dIc/dUзи)
Uc=const
(МДП)-транзисторы-МОП
МОП: -с встроенным
  -с
индуцируемым
 Структура и работа.
 Работа основана на явлении
изменения проводимости при поверхностном слое полупроводника на границе с диэлектриком
под воздействием электрического поля.
ВАХ:
стокзатворная
изолированный канал
Встроенный канал
 cтокзатворная
rк=1/s “+”высокое Rвх 1012…14 Ом,
высокие допустимые напряжения
Применение:цифровая схемотехника, аналоговые ключи, входные-выходные
каскады усилителей мощности, управляемые R.
Терристор
П/п прибор с 3-мя и более p-n переходами,
применяется для переключения токов. Различают 2-х электродные – динистор и 3-х
электродные – тринистор.
 Динистор: структура и работа
| 
Главная
Документация
Файлы
Информация
