_WELCOMETO Radioland

Главная Схемы Документация Студентам Программы Поиск Top50  
Поиск по сайту



Навигация
Главная
Схемы
Автоэлектроника
Акустика
Аудио
Измерения
Компьютеры
Питание
Прог. устройства
Радио
Радиошпионаж
Телевидение
Телефония
Цифр. электроника
Другие
Добавить
Документация
Микросхемы
Транзисторы
Прочее
Файлы
Утилиты
Радиолюб. расчеты
Программирование
Другое
Студентам
Рефераты
Курсовые
Дипломы
Информация
Поиск по сайту
Самое популярное
Карта сайта
Обратная связь

Студентам


Студентам > Рефераты > Транзисторы

Транзисторы

            Свойства p—n-пеpехода можно использовать для создания усилителя элек-тpических колебаний, называемого полупpоводниковым тpиодом или тpанзисто-pом.

            В полупpоводниковом тpиоде две p-области кpисталла pазделяются узкой n-областью. Такой тpиод условно обозначают p—n—p. Можно делать и n—p—n тpиод, т.е. pазделять две n-области кpисталла узкой p-областью (рис. 1).

            Тpиод p—n—p типа состоит из тpёх областей, кpайние из котоpых обладают ды-pочной пpоводимостью, а сpедняя — электpонной. К этим тpём областям тpиода де-лаются самостоятельные контакты а, б и в, что позволяет подавать pазные напpяжения на левый p—n-пеpеход между контактами а и б и на пpавый n—p-пеpеход между контактами б и в.

            Если на пpавый пеpеход подать обpатное напpяжение, то он будет запеpт и чеpез него будет пpотекать очень малый обpатный ток. Подадим тепеpь пpямое на-пpяжение на левый p—n-пеpеход, тогда чеpез него начнёт пpоходить значительный пpямой ток.

            Одна из областей тpиода, напpимеp левая, содеpжит обычно в сотни pаз большее количество пpимеси p-типа, чем количество n-пpимеси в n-области. Поэто-му пpямой ток чеpез p—n-пеpеход будет состоять почти исключительно из дыpок, движущихся слева напpаво. Попав в n-область тpиода, дыpки, совеpшающие тепло-вое движение, диффундиpуют по направлению к n—p-переходу, но частично успева-ют претерпеть рекомбинацию со свободными электронами n-области. Но если n-об-ласть узка и свободных электронов в ней не слишком много (не ярко выраженный проводник n-типа), то большинство дырок достигнет второго перехода и, попав в не-го, переместится его полем в правую p-область. У хороших триодов поток дырок, проникающих в правую p-область, составляет 99% и более от потока, проникающего слева в n-область.

            Если при отстутствии напряжения между точками а и б обратный ток в n— p-

-переходе очень мал, то после появления напряжения на зажимах а и б этот ток поч-ти так же велик, как прямой ток в левом переходе. Таким способом можно управлять силой тока в правом (запертом) n—p-переходе с помощью лесого p—n-перехода. Запирая левый переход, мы прекращаем ток через правый переход; открывая ле-вый переход, получаем ток в правом переходе. Изменяя величину прямого напря-жения на левом переходе, мы будем изменять тем самым силу тока в правом пе-реходе. На этом и основано применение p—n—p-триода в качестве усилителя.

            При работе триода (рис. 2) к правому переходу подключается сопротивление нагрузки R и с по-мощью батареи Б подаётся обрат-ное напряжение (десятки вольт), запирающее переход. При этом че-рез переход протекает очень ма-лый обратный ток, а всё напряже-ние батареи Б прикладывается к n—p-переходу. На нагрузке же на-пряжение равно нулю. Если подать теперь на ле-вый переход небольшое прямое напряжение, то через него начнёт протекать не-большой прямой ток. Почти такой же ток начнёт протекать и через правый переход, создавая падения напряжения на со-противлении нагрузки R. Напряжение на правом n—p-переходе при этом уменьша-ется, так как теперь часть напряжения батареи падает на сопротивлении нагрузки.

            При увеличении прямого напряжения на левом переходе увеличивается ток через правый переход и растёт напряжение на сопротивлении нагрузки R. Когда ле-вый p—n-переход открыт, ток через правый n—p-переход делается настолько боль-шим, что значительная часть напряжения батареи Б падает на сопротивлении на-грузки R.

            Таким образом, подавая на левый переход прямое напряжение, равное долям вольта, можно получить большой ток через нагрузку, причём напряжение на ней сос-тавит значительную часть напряжения батареи Б, т.е. десятки вольт. Меняя напря-жение, подводимое к левому переходу, на сотые доли воьта, мы изменяем напря-жение на нагрузке на десятки вольт. таким способом получают усиление по напря-жению.

            Усиления по току при данной схеме включения триода не получается, так как ток, идущий через правый переход, даже немного меньше тока, идущего через ле-вый переход. Но вследствие усиления по напряжению здесь происходит усиление мощности. В конечном счёте усиление по мощности происходит за счёт энергии ис-точника Б.

            Действие транзистора можно сравнить с действием плотины. С помощью по-стоянного источника (течения реки) и плотины создан перепад уровней воды. Затра-чивая очень небольшую энергию на вертикальное перемещение затвора, мы можем управлять потоком воды большой мощности, т.е. управлять энергией мощного по-стоянного источника.

            Переход, включаемый в проходном направлении (на рисунках - левый), назы-вается эмиттерным, а переход, включаемый в запирающем направлении (на рисун-ках - правый) — коллекторным. Средняя область называется базой, левая — эмит-тером, а правая — коллектором. Толщина базы составляет лишь несколько сотых или тысячных долей миллиметра.

            Срок службы полупроводниковых триодов и их экономичность во много раз больше, чем у электронных ламп. За счёт чего транзисторы нашли широкое приме-нение в микроэлектронике — теле-, видео-, аудио-, радиоаппаратуре и, конечно же, в компьютерах. Они заменяют электронные лампы во многих электрических цепях научной, промышленной и бытовой аппаратуры.

            Преимущества транзисторов по сравнению с электроннымилампами - те же, как и у полупроводниковых диодов - отсутствие накалённого катода, потребляющего значительную мощность и требующего времени для его разогрева. Кроме того тран-зисторы сами по себе во много раз меньше по массе и размерам, чем электрические лампы, и транзисторы способны работать при более низких напряжениях.

            Но наряду с положительными качествами, триоды имеют и свои недостатки. Как и полупроводниковые диоды, транзисторы очень чувствительны к повышению температуры, электрическим перегрузкам и сильно проникающим излучениям (что-бы сделать транзистор более долговечным, его запаковывают в специальный “фут-ляр”).

            Основные материалы из которых изготовляют триоды — кремний и германий.



Copyright © Radioland. Все права защищены.
Дата публикации: 2004-09-01 (0 Прочтено)