| Студентам > Дипломные работы > Разработка макета системы персонального вызова 
 Разработка макета системы персонального вызоваСтраница: 3/12
 
 рейдет в состояние, в котором невозможно поглощение
света. При достаточном  времени  почти  все  электроны  перейдут  в
такое состояние.  Пар,  про который тогда говорят, что
произошла его полная накачка, относительно прозрачен для света.     Если затем параллельно лучу света наложить ВЧ-поле,
то оно перебросит электроны, изменяя при этом их спиновый
угловой мо- мент.  Фактически РЧ-поле заставляет электроны
перебрасываться из одного более низкого состояния в другое, 
"расстраивая" оп- тическую накачку.  Как следствие, пар вновь начинает
поглощать свет.  Радиочастотные и оптические эффекты объединяются,
давая особенно острый резонанс, и именно на этом резонансном
явлении работает магнитометр с оптической накачкой.     Энергия, требуемая для опрокидывания спина  электрона, 
и, следовательно, частота ВЧ-поля, зависят от силы
магнитного по- ля. В магнитометре контур обратной связи управляет
радиочасто- той для поддержания минимального пропускания света. 
Таким об- разом,  частота как бы служит мерой магнитного поля. 
Магнито- метр с оптической накачкой измеряет общее магнитное поле
любой ориентации в отличие от большинства магнитометров,
которые из- меряют  только  составляющую  магнитного  поля,  лежащую
вдоль чувствительной оси.     Чувствительность и динамический диапазон этого
магнитомет- ра подобно большинству магнитометров определяется
регистрирую- щей  электроникой.  Типичные значения чувствительности
прибора имеют предел от 10Е-14 до 10Е-6 А/м.     Датчик имеет  большие  габариты и высокое потребление
мощ- ности (несколько ватт).  Конструкция оптического 
магнитометра показана на рис. 1.5.       1.2.4. Ядерный прецессионный магнитометр.      В ядерном прецессионном магнитометре используется
реакция ядер атомов в жидких углеводородах,  например бензоле, на
воз- действие   магнитного  поля.  Протоны  в  ядрах  атомов 
можно рассматривать как малые магнитные диполи; поскольку они
враща- ются  и  обладают электрическим зарядом,  у них есть
небольшой магнитный момент, подобный в некоторых отношениях
угловому мо- менту вращающегося гироскопа. С помощью однородного
магнитного поля, создаваемого при прохождении тока через катушку,
протоны в жидкости могут быть временно выстроены в ряд.  Когда
поляри- зационный ток выключается,  происходит прецессия
протонов  от- носительно окружающего магнитного поля.  Ось спина
протона, не выстроенного постоянным магнитным полем, подобно оси
гироскопа вне линии гравитационного поля, проходит по окружности
относи- тельно линии, параллельной полю. Скорость прохождения,
называ- емая частотой прецессии, зависит от силы измеряемого
магнитно- го поля.  Прецессирующие протоны генерируют в катушке 
сигнал, частота  которого  пропорциональна  величине  магнитного
поля. Конструкция этого магнитометра показана на рис. 1.6.     Ядерный прецессионный  магнитометр имеет диапазон
чувстви- тельности от 10Е-13 до 10Е-4 А/м,  а их частотный
диапазон ог- раничен стробирующей частотой жидкого водорода.       1.2.5. СКВИД-датчик.     Сверхпроводящий квантовый интерференционный датчик
(СКВИД) является  самым  чувствительным датчиком магнитного
поля.  Это устройство основано на взаимодействии  электрических 
токов  и магнитных колебаний, наблюдаемых при охлаждении материала
ниже температуры перехода в сверхпроводящее состояние. 
Конструкция датчика приведена на рис. 1.7.     Если линии магнитного поля проходят через кольцо из
сверх- проводящего   материала   то   в  нем  индуцируется 
ток.  При отсутствии возмущений ток будет протекать сколько угодно 
дол- го. Величина индуцированного тока является весьма
чувствитель- ным индикатором плотности потока поля.  Кольцо может 
реагиро- вать на изменение поля,  соответствующее долям одной
квантовой единицы магнитного потока.  При наличии в кольце тонкого
пере- хода  (переход  Джозефсона)  в нем наблюдаются колебания
тока. Кольцо соединяют с ВЧ схемой,  которая подает  известное 
поле смещения  и  детектирует  выходной сигнал.  При
взаимодействии двух двух волн  образуется  итерференционные  полосы, 
подобно световым  волнам.  Подсчет полос позволяет с высокой
точностью определить величину магнитного поля.     Кольцо изготавливают   из   свинца  или  ниобия 
диаметром несколько миллиметров.  Для  увеличения 
чувствительности  его иногда  включают в более крупную катушку.  Диапазон
измеряемых полей равен от 10Е-16 до 10Е-10 А/м.       1.2.6. Магниторезисторы.     Магниторезисторами называют   полупроводниковые  
приборы, сопротивление которых меняется в магнитном поле.
Поскольку эф- фект магнитосопротивления максимален в полупроводнике не
огра- ниченом в направлении перпендикулярному току,  то  в 
реальных магниторезисторах  стремятся  максимально  приблизится к
этому условию. Наилучшим типом неограниченного образца является
диск Карбино (см. рис. 1.8а).     Отклонение тока в таком образце при отсутствии 
магнитного поля  нет  и он направлен строго по радиусу.  При наличии
поля путь носителей заряда удлиняется  и  сопротивление 
увеличива- ется. Другой структурой магниторезистора является
пластина ши- рина которой много больше длины (рис. 1.8б). Эти две
структуры обладают  наибольшим  относительным изменением
сопротивления в магнитном поле.  Однако их существенным  недостатком 
является малое  абсолютное  сопротивление  при B=0,  что
обусловлено их конфигурацией.  Для увеличения  R  применяют 
последовательное соединение резисторов.  Например,  в случае пластины
использу- ется одна длинная пластина из полупроводника с
нанесенными ме- таллическими полосками, делящими кристалл на области
длина ко- торых меньше ширины.  Таким образом,  каждая область
между по- лосками представляет собой отдельный магниторезистор.      Магниторезисторы обладают довольно  большой 
чувствитель- ностью.  Она лежит в пределах от 10Е-13 до 10Е-4 А/м.
Наиболь- шей чувствительностью обладают магниторезисторы 
изготовленные из InSb-NiSb.       1.2.7. Магнитодиоды.     Магнитодиод представляет собой полупроводниковый
прибор  с p-n переходом и невыпрямляющими контактами, между
которыми на- ходится область высокоомного полупроводника.  Структура
и  ти- пичная ВАХ "торцевого" магнитодиода приведена
на рис. 1.9.     Действие прибора  основано  на  магнитодиодном
эффекте.  В "длинных" диодах (d/L >> 1, где d - длина
базы, L - эффективн- ная  длина дифузионного смещения ) распределение
носителей,  а следовательно сопротивление диода (базы) определяется
длиной L Уменьшение  L  вызывает  понижение  концентрации
неравновесных носителей в базе,  т. е. повышение ее сопротивления. Это
вызы- вает увеличение падения напряжения на базе и уменьшение
на p-n переходе (при U=const).  Уменьшение падения напряжения
на  p-n переходе  вызывает снижение инжекционного тока и
следовательно дальнейшее увеличение сопротивление базы.  Длину L можно
изме- нять воздействуя на диод магнитным полем.  Оно приводит к
зак- ручиванию движущихся носителей и их  подвижность 
уменьшается, следовательно  уменьшается и L.  Одновременно удлиняются
линии тока, т. е. эффективная толщина базы растет. Это и есть
магни- тодиодный эффект.     Нашей промышленностью выпускается несколько типов
магнито- диодов.  Их чувствительность лежит в пределах 10Е-9  до 
10Е-2 А/м.  Существуют  также  магнитодиоды  способные
определять не только напряженность магнитного поля но и его
направление.           1.2.8. Магнитотранзисторы.     Существует множество типов магнитотранзисторов.  Они
могут быть и биполярными, и полевыми, и однопереходными. Но
наиболь- шей  чувствительностью  обладают  двухколекторные
магнитотран- зисторы (ДМТ).  Структурная схема и способ включения ДМТ
пока- заны на рис. 1.10.     ДМТ - это  четырех  электродные  полуроводниковые 
приборы планарной или торцевой топологии. Инжектирующий контакт,
эмит- тер,  расположен между симметричными  коллекторами. 
Четвертый контакт - базовый. Магнитное поле в зависимости от
направления отклоняет инжектированные носители к одному из 
коллекторов  и изменяет распределение токов между коллекторами. 
Разность то- ков коллекторов и определяет величину  измеряемого 
магнитного поля. Она пропорциональна индукции магнитного поля, а
знак по- казывает его направление.  В области слабых полей ДМТ
обладает очень  высокой  магниточувствительностью и хорошей
линейностью ампер-тесловой характеристики.  Они используются в 
аппаратуре требующей  измерения индукции и знака магнитного поля, 
напри- мер,  в магнитных компасах.  В основном используются
кремний и германий.  Чувствительность магнитотранзисторов лежит в
преде- лах 10Е-8 до 10Е-4 А/м.       1.2.9. Датчик на эффекте Холла.     Рассмотрим пластину  полупроводника  р-типа  через
которую протекает ток, направленный перпендикулярно внешнему
магнитно- му полю.  Сила Лоренца отклоняет дырки к верхней грани
пласти- ны,  в следствии чего их концентрация там увеличивается, 
а  у нижней грани уменьшается.  В результате пространственного
раз- деления зарядов возникает электрическое поле, 
направленное от верхней грани к нижней. Это поле препятствует разделению
заря- дов и,  как только создаваемая им сила станет равной
силе  Ло- ренца, дальнейшее разделение зарядов прекратится (рис.
1.11).     Разность потенциалов между верхней и нижней гранями
образ- ца  равна  :                        V = E*a = v*B*a,       где а - ширина образца в
направлении протекания тока,  B - напряженность магнитного поля,  v - скорость носителей.
Наибо- лее существенное достоинство датчика Холла  при 
измерении  им напряженности  магнитного  поля  -  это линейность
измеряемого напряжения от индукции магнитного поля. Датчики работают
в ди- апазоне от 10Е-5 до 1 А/м.     Датчики Холла изготавливают либо из тонких
полупроводнико- вых пластин,  либо из напыленных тонких пленок. Для
изготовле- ния используются полупроводники с высокой подвижностью
носите- лей заряда.       1.2.10. Волоконно-оптический магнитомер.     Волоконно-оптический магнитомер  (ВОМ)  представляет
собой новый вид датчика,  который находится еще в процессе
разработ- ки. В нем используются два стекловолоконных световода,
образу- ющих интерферометр Маха-Цандера.  Луч  лазера  проходит 
через светоделитель  в  оба  волокна  и  рекомбинирует  в
сумматоре, поступая затем на фотодетектор в конце каждого  волокна. 
Один из  световодов  либо  намотан на магнитострикционный
материал, либо покрыт им. Размеры магнитострикционного материала
зависят 
 
 |