МОП-транзисторы

      Рис. 5. Сток - затворные характеристики  полевого транзистора при разных температурах.

среды и указано положение термостабильной точки. Зависимость крутизны характеристики от температуры  у полевых транзисторов такая же как и у тока стока. С ростом температуры ток утечки затвора увеличивается. Хотя абсолютное изменение тока незначительно , его надо учитывать при больших сопротивлениях в цепи затвора. В этом случае изменение тока утечки затвора может вызвать существенное изменение напряжения на затворе полевого транзистора и режима его работы. Температурная зависимость тока утечки затвора полевого транзистора  с р-п переходом приведена на рис. 6 . В

                       рис. 6. Зависимость тока утечки затвора полевого транзистора             

                                                        от температуры.

полевом транзисторе с изолированным затвором ток затвора практически не зависит от температуры.

   4.4. Максимально  допустимые  параметры.

   М а к с и м а л ь н о   д о п у с т и м ы е   п а р а м е  т р ы   определяют значения конкретных режимов полевых транзисторов, которые не должны превышаться при любых условиях эксплуатации и при которых обеспечивается заданная надежность. К максимально допустимым  параметрам относятся: максимально допустимое напряжение затвор - исток UЗИmax  ,  затвор - сток UЗСmax  , сток - исток UСИmax  , максимально допустимое напряжение  сток - подложка  UСПmax  , исток - подложка UИПmax  , затвор - подложка U ЗПmax . Максимально допустимый постоянный ток стока I Сmax максимально допустимый прямой ток затвора IЗ(пр)max , максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность Рmax .

   4.5. Вольт – амперные характеристики полевых транзисторов.

                                 а                                             б

Рис. 7. Вольт – амперные характеристики полевого транзистора со встроеным

каналом n- типа:  а – стоковые;  б – стоко – затворные.

    Вольт - амперные характеристики полевых транзисторов устанавливают зависимость тока стока  I C от одного из напряжений UСИ или UЗИ при фиксированной величине второго.

   В МДП - транзисторе с индуцированным каналом  с подложкой  р-типа при UЗИ = 0 канал п-типа может находиться в проводящем состоянии. При некотором пороговом напряжении UЗИ.ПОР < 0 за счет обеднения канала основными носителями проводимость его значительно уменьшается. Статические стоковые характеристики в этом случае будут иметь вид , изображенный на рис.  7 , а стоко - затворная характеристика пересекает ось ординат  в точке со значением  тока   IC.НАЧ.

    Особенностью МДП - транзистора с индуцированным каналом п - типа является возможность работы без постоянного напряжения смещения             ( U ЗИ = 0) в режиме как обеднения, так и  обогащения канала  основными носителями заряда. МДП - транзистор с встроенным  каналом имеет вольт-амперные характеристики , аналогичные изображенным  на рис.  7 .

    У МДП - транзисторов всех типов потенциал подложки  относительно истока оказывает заметное влияние на вольт -амперные характеристики  и соответственно параметры транзистора. Благодаря воздействию на проводимость канала подложка может выполнять функцию затвора.  Напряжение на подложке относительно истока должно иметь такую полярность,  чтобы р-п  переход  исток  - подложка  включался в обратном направлении. При этом р-п переход канал - подложка действует как затвор полевого транзистора с управляющим  р-п переходом.

5. Рекомендации по применению полевых транзисторов.

    Рекомендации по применению полевых транзисторов. Полевые транзисторы имеют  вольт-амперные характеристики, подобные ламповым, и обладают всеми  принципиальными преимуществами транзисторов. Это позволяет применять их в схемах, в большинстве  случаев использовались электронные лампы, например, в усилителях постоянного тока с высокоомным    входом , в истоковых повторителях с особо высокоомным входом ,  в электрометрических усилителях, различных реле времени, RS - генераторах синусоидальных колебаний  низких и инфранизких частот, в генераторах пилообразных колебаний , усилителях низкой частоты , работающих от источников с большим внутренним сопротивлением, в активных  RC - фильтрах низких частот. Полевые транзисторы  с изолированным затвором  используют в высокочастотных усилителях, смесителях , ключевых устройствах.

     В рекомендации по использованию транзисторов для случая полевых транзисторов следует внести дополнения:

      1. На затвор полевых транзисторов с р-п ( отрицательное  для транзисторов с р - каналом  и положительным для транзистора с п - каналом).

    2.  Полевые транзисторы с изолированным затвором следует хранить с закороченными выводами. При включении транзисторов в схему должны быть приняты все меры для снятия зарядов статического электричества. Необходимую пайку производить на заземленном металлическом листе, заземлить жало паяльника, а так же руки монтажника при помощи специального металлического браслета. Не следует применять одежду из синтетических тканей. Целесообразно подсоединять полевой транзистор к схеме, предварительно закоротив его выводы.

              СПИСОК   ИСПОЛЬЗОВАННОЙ   ЛИТЕРАТУРЫ :

1.Терещук Р.М. Полупроводниковые приемно-усилительные устройства: Справочник радиолюбителя / 4-е издание, стер. - Киев: Наук. Думка 1989. - 800с.

2.   Бочаров Л.Н. Полевые транзисторы. - М. : Радио и связь, 1984, - 80 с.

3. Полупроводниковые приборы: транзисторы: Справочник / Н.Н.Горюнова.                 

      М. ; Энергоатомиздат, 1985. 904с. 

1	2

Copyright © Radioland. Все права защищены.
Дата публикации: 2004-09-01 (0 Прочтено)